全球最大的内存厂商三星宣告，已开端量1Tb QLC的第九代V-NAND内存，这是全球第一家运用这项新技能开端量产内存芯片的公司。

　　依据韩国新闻媒体报道指出，继2024年4月制作出全球首款TLC的第九代V-NAND内存之后，三星也已开端量产QLC第九代V-NAND内存。而凭仗这一抢先业界动作，三星稳固了其在高容量和高性能内存芯片范畴的领导地位。别的，为完结这一方针，三星推出了多项新技能和新制程，包含信道孔蚀刻、规划模具、低功耗规划，以及猜测程序等。

　　其间，在信道孔蚀刻的部分，该技能用于仓库层，然后创立一个信道孔，电子能够借由该孔移动。这种双层仓库结构使内存有了更高的存储密度。与上一代QLC技能比较，其位元密度进步了86%。而在规划模具方面，操控操作单元，也便是操控晶体管翻开和封闭状况布线的距离，将它们层压以优化和一致单元，借以经过将数据保存率进步20%来进步可靠性。

　　至于，猜测程序则是猜测单元状况的改变，并最大极限的削减不必要的单元操作。运用这项技能，三星别离将读取和写入数据时的功耗别离下降30%和50%。而有了以上的几项新技能，其所生产出的QLC第九代V-NAND内存，三星方案未来将运用这一些QLC V-NAND内存来制作消费性与服务器使用的SSD，以及用于移动电子设备的UFS存储。

　　三星电子执行副总裁兼闪存产品与技能负责人SungHoi Hur表明，在TLC版别推出仅四个月后，QLC第9代V-NAND随即成功量产，这使三星可供给全系列先进的SSD解决方案，满意AI年代的需求。跟着企业级SSD商场敏捷添加，对AI使用的需求慢慢地添加，三星也将继续用由QLC和TLC的第9代V-NAND内存来稳固三星在该范畴的抢先地位。

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